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에이프로세미콘이 무선주파수(RF) 반도체에 쓰이는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발에 성공했다. 미국과 중국산이 장악한 GaN 반도체용 웨이퍼 시장에서 외산 대체 효과를 거둘지 주목된다.
업계에 따르면, 에이프로세미콘은 최근 'GaN on SiC' 에피웨이퍼 시제품을 생산, 복수의 국내외 고객사와 성능 평가에 돌입했다. 이르면 올 연말 방산용 반도체를 위한 에피웨이퍼 대량 생산에 들어갈 예정이다.
GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로, 기존 실리콘(Si) 소재와 견줘 고전압·고내열 특성을 가지고 있다. 이 때문에 전력이나 RF 분야에서 차세대 반도체 소재로 GaN이 주목받고 있다.
부모님 선물 디어메드GaN 반도체를 구현하려면 실리콘이나 실리콘카바이드(SiC) 위에 GaN 막을 자라게 해야한다. 성장(에피)이라는 공정으로 만들어져 에피웨이퍼라고 한다. 에피웨이퍼 제조는 GaN 반도체를 제조하기 위한 첫 단계다.
전력 반도체에는 실리콘 위에 GaN을 성장시킨 'GaN on Si'을 활용하고, RF 분야에서는 실리콘카바이드 위에 단독특가 GaN을 올린 'GaN on SiC' 수요가 높다. GaN on SiC가 신호를 증폭시키는 특성이 강해서다.
앞서 에이프로세미콘은 8인치 기반 GaN on Si 에피웨이퍼 기술도 확보, 올해 3월부터 양산을 시작했다. DB하이텍 등 반도체 위탁생산(파운드리) 업체와 협력해 전력 반도체 제조를 추진하고 있다.
이번에 4인 한국토지주택공사www.lh.or.kr 치 기반 GaN on SiC도 개발하면서 에피웨이퍼 포트폴리오를 확대하게 됐다. 타깃하는 GaN 반도체가 다른 만큼 시장 저변이 확대될 것으로 회사는 전망했다.
GaN on SiC 기반 반도체는 6G와 같은 차세대 이동통신·위성통신·방산용 레이더·안티드론 등 시장이 핵심 수요처다. 기존 미국 울프스피드와 중국 등 해외 업체가 장악했던 시장 개인대출 이어서 외산 대체 효과도 기대된다.
에이프로세미콘 관계자는 “외산 대비 높은 성능 평가를 받고 있다”며 “양산 시 다수 국산 GaN 에피웨이퍼를 시장에 공급할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
에이프로세미콘은 GaN on Si와 GaN on SiC 에피웨이퍼를 두축으로 삼아 GaN 반도체 시장 공략 속도를 높일 방침이다. Ga 신용회복자대출가능한곳 N on Si 경우 에이프로세미콘이 자체 전력 반도체 설계도 맡아 제품화를 추진하고 있다. 고객사 뿐 아니라 모회사인 에이프로의 이차전지 공정 장비에 들어가는 전력 반도체를 공급하는 내재화 전략도 수립했다.
GaN on SiC는 급증하는 RF 반도체 시장을 겨냥한다. 구미 공장의 생산능력을 앞세워 신속한 GaN on SiC 공급에 나선다는 전략이다. 에이프로세미콘의 구미 공장은 연간 2만장의 GaN 에피웨이퍼를 생산하는 능력을 갖췄다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com